晶圆处理制程
晶圆级别
Q3’2026 Ready
Bumping
- 8” & 12” Wafer
- Solder Bump
- Copper Pillar
- RDL
Q4’2025 Ready
Wafer Probing
- SiPh Wafer Level Test
- Automatic Fiber Alignment
Wafer Grinding
- 8” & 12” Silicon Wafer
- Non-bumped: Min 50um
- Bumped: Min 110um
- Auto Frame Mounting
Wafer AOI
- 2D & 3D Inspection
- Min Defect Size 1.56um
- Incoming and Post Dicing
Chip on Wafer
- +/-3um Accuracy
- Flux Dipping
- Laser Soldering
Laser Grooving
- Low K Wafer
- Groove Width 60um
Wafer Recon
- +/-30um Accuracy
- Hoop Ring/Gel Pak
- 6 sides AOI
- Min Defect Size 15um
Stealth Dicing
- SiPH Stealth Dicing
- Back Side Through Tape
- +/-3um Dicing Accuracy
- 晶圆研磨制程能力
- 产品类型：8吋，12吋晶圆
- 最终厚度：最薄可到50um
- 最终厚度误差：±10um
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- 晶圆切割制程能力
- 根据客户晶圆大小有配套真空吸盘切割
- 超纯水添加二氧化碳和切割添加剂，避免ESD和沾污问题
- 基于客户不同切割材质(如硅,互补金属氧化物导体，钽酸锂，玻璃)的特性，配套刀片和最优化的切割方案可供选择
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- 晶片装卷帶能力
- 六面检测（bump缺失﹐破裂﹐碎片﹐沾污…等）
- 每小时产能﹕12~14k
- 最小晶片尺寸﹕0.3*0.3毫米
- 晶元类型﹕ Si, SiGe, GaAs
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