晶圆处理制程
- 晶圆研磨制程能力
- 产品类型：8吋，12吋晶圆
- 最终厚度：最薄可到50um
- 最终厚度误差：±10um
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- 晶圆切割制程能力
- 根据客户晶圆大小有配套真空吸盘切割
- 超纯水添加二氧化碳和切割添加剂，避免ESD和沾污问题
- 基于客户不同切割材质(如硅,互补金属氧化物导体，钽酸锂，玻璃)的特性，配套刀片和最优化的切割方案可供选择
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- 晶片装卷帶能力
- 六面检测（bump缺失﹐破裂﹐碎片﹐沾污…等）
- 每小时产能﹕12~14k
- 最小晶片尺寸﹕0.3*0.3毫米
- 晶元类型﹕ Si, SiGe, GaAs
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